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實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象機(jī)理分析——復(fù)達(dá)客戶(hù)檢測(cè)案例

2021年8月23日,客服中心反饋福建某附屬醫(yī)院的老師需要對(duì)其實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象進(jìn)行機(jī)理分析,接到反饋后,測(cè)試工程師第一時(shí)間與客戶(hù)進(jìn)行詳細(xì)溝通,情況如下:


客戶(hù)背景


客戶(hù)是福建某附屬醫(yī)院的老師,其進(jìn)行實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),氧等離子體處理后的鈦表面含有羥基,有機(jī)硅季銨鹽(ODDMAC)與羥基發(fā)生 反應(yīng)后固定在鈦材料表面,想模擬隨著 ODDMAC 的增多,各分子間發(fā)生的相互作用,比如有 ODDMAC 與羥基的反應(yīng)、ODDMAC 單體之間的自聚合、長(zhǎng)碳鏈的卷曲折疊等等。想通過(guò)模擬計(jì)算方法,對(duì)實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象從理論上解釋?zhuān)M(jìn)而理論與實(shí)驗(yàn)相結(jié)合,更加充分證明實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確性和科學(xué)性。


樣品名稱(chēng)


氧等離子體處理后的鈦表,有機(jī)硅季銨鹽(ODDMAC)


客戶(hù)需求


對(duì) ODDMAC 在材料表面結(jié)合后引發(fā)材料相關(guān)性質(zhì)的一系列改變,從微觀上做個(gè)解釋?zhuān)?/p>


1. 氧等離子體處理后材料表面水接觸角變小(親水性增大),隨著 ODDMAC 的增多,水接觸角變大(親水性減小)。 


2. ODDMAC 中氨基為抗菌基團(tuán),長(zhǎng)碳鏈也可以發(fā)揮一定的抗菌作用,但是隨著ODDMAC 的增多抗菌性減弱。 


3. 氧等離子體處理后材料表面對(duì)細(xì)胞的親和性升高,但是隨著 ODDMAC的增多對(duì)細(xì)胞的促進(jìn)作用降低,甚至影響細(xì)胞的黏附和生長(zhǎng)。


解決方案


1.構(gòu)建模型:


根據(jù)不同的表面處理,分三組建模: 


1)ODDMAC:OH = 1:4; 


2)ODDMAC:OH = 2:8; 


3)ODDMAC:OH = 3:12


實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象機(jī)理分析.png



1.計(jì)算方法 


所有用于優(yōu)化的自旋極化計(jì)算都是使用 VASP軟件包進(jìn)行的。交換相關(guān)泛函由廣義梯度近似(GGA)中的 PBE泛函描述。采用項(xiàng)目增廣波(PAW)方法 5 處理核心電子,設(shè)置平面波基截止能量為 450 eV。此外,采用了三維軌道電子的“+U”Hubbard 校正,避免了自旋電子間斥力對(duì) GGA 的考慮不足。Ti 金屬中心的 U 值為 2.58 eV。 


分子動(dòng)力學(xué)運(yùn)用 Material Studio 軟件進(jìn)行,立場(chǎng)選擇 COMPASS;系綜 NVT;室溫(298K)下模擬 50 ps,每 500 步獲取一個(gè)結(jié)構(gòu),選擇最穩(wěn)定結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究分析。


2.理論結(jié)果 


親水性由動(dòng)力學(xué)模擬結(jié)果的的水的數(shù)密度來(lái)討論(包含自聚對(duì)親水性的影響),數(shù)密度可以反應(yīng)一個(gè)位置組分的相對(duì)濃度; 


關(guān)于 N 基團(tuán)被覆蓋用徑向分布函數(shù)來(lái)表述;


抗菌性,計(jì)算 N+的 bader 電荷(帶電量),衡量抗菌性。


客戶(hù)反饋


客戶(hù)對(duì)模擬方向了解很少,我們依據(jù)客戶(hù)提供的信息,制定可行方案。模擬結(jié)果數(shù)據(jù)非常好,能夠很好契合客戶(hù)的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如下:


實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象機(jī)理分析.png


縱向(001)的水密度分布,(100,010方向的數(shù)據(jù)也在origin里,可自取),可以看到15?的地方水密度 1>2>3,而15?差不多就是所在的高度,可知ODDMAC越多,越疏水;3的水大多被集中到ODDMAC頂部去了(即35?附近),綜合體現(xiàn)1,2,3的疏水性程度3>2>1,符合預(yù)期。


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對(duì)N來(lái)說(shuō),周?chē)腍2O分子分布距離,可以明顯看到3(藍(lán)線),N周?chē)腍2O出現(xiàn)概率明顯偏小。【縱坐標(biāo)g(r)代表原子出現(xiàn)的平均概率,即N周?chē)霈F(xiàn)H2O的概率】【橫坐標(biāo)為N和H2O的距離】,與實(shí)驗(yàn)設(shè)想的碳鏈卷曲包覆N可以一致。


實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象機(jī)理分析.png


含N基團(tuán)帶正電量和抗菌性可以掛勾,即帶正電量越多 越能使細(xì)胞膜帶負(fù)電的細(xì)菌失活。由圖可知,1帶正電最多,證明其抗菌性最好,2和3 的抗菌性逐漸減弱,與前面計(jì)算結(jié)果及實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合。